全国统一热线:

新闻动态

news

新闻动态

人才招聘

   人才管理 人才管理从战略和组织发展需求出发,围绕人才队伍建设,针对不同人才群体形成差异化的管理系统,构成人才标准、规划、选拔、培养、使用和保留的管理闭环。 推动关键岗位员工进行多岗位、跨职能、跨行业历练,...
点击查看更多
新闻动态

当前位置:官网首页 > 新闻动态 >

三星的6nm、5nm、4nm工艺都是7nm改良:3nm弃用FinFET

2019-10-22 01:10

原标题:三星的6nm、澳门百乐门旗舰真人mg5nm、4nm工艺都是7nm改良:3nm弃用FinFET

7nm工艺的产品已经遍地开花,Intel的10nm处理器也终于在市场登陆,不过,对于晶圆巨头们来说,制程之战却越发胶着。

在日前一场技术交流活动中,三星重新修订了未来节点工艺的细节。

三星称,EUV后,他们将在3nm节点首发GAA MCFET(多桥通道FET)工艺。由于FinFET的限制,预计在5nm节点之后会被取代。

实际上,5nm在三星手中,也仅仅是7nm LPP的改良,可视为导入第二代EUV的一代。7nm LPP向后有三个迭代版本,分别是6nm LPP、5nm LPE和4nm LPE。

相较于年初的路线图,三星6LPP只是简单地引入SDB,从而提供了1.18倍的密度改进。另一个改变是删除4LPP节点,在路线图上只留下4LPE。最后,三星将3 GAAE和3 GAAP更名为3 GAE和3 GAP。

关于工艺核心指标,5nm LPE虽然沿用7nm LPP的晶体管和SRAM,但性能增强了11%,UHD下的密度会接近130 MTr/mm²,终于第一次超过了Intel 10nm和台积电7nm。

展开全文

在4nm LPE上(2021年推出),三星可以做到137 MTr/mm²的密度,接近台积电5nm。

全国统一热线

+地址:广东省广州市天河区88号
+传真:
+邮箱:admin@baidu.com

友情链接

微信平台

微信平台

手机官网

手机官网